三星电子公司近日宣布，开始采用70nm生产1Gb容量（128MB）的OneNAND型存储器，OneNAND存储器基于NAND闪存设计，内嵌传统的RAM为缓冲区，在读性能方面可以媲美NOR闪存，而在写入性能方面则继承了NAND的优势。
三星表示，已经有超过100款使用OneNAND的移动设备在设计之中。
以前出品的OneNAND是以90nm工艺生产，以此转为70nm工艺，并特别提高了读取速度，达到了108MB/s，较90nm时提高了60%，而传统的NAND闪存的读取速度一般只有16.2MB/s.另外，70nm的OneNAND还允许在83MHz的时钟频率下进行同步数据访问。
在写入速度方面，70nm工艺与90nm工艺并没有变化，仍然是9.3MB/s，但仍比传统NAND闪存的8MB/s更高。
